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軸向分辨率完全來自光源特性，應在5μm的數(shù)量級上。 來自樣品處光束半徑的橫向分辨率應為15μm。800 nm範圍內(nèi)的光將用於避免組織中的高吸收，這會限制穿透。光源規(guī)格OCT將干涉測量技術與寬帶近紅外光結合使用。 較寬的帶寬可提供最佳分辨率，而波長選擇可確定樣品材料中的穿透深度。

某個角度的一道入射平面波會在下面兩個介面中反覆交錯無數(shù)次：空氣到膜層介面以及膜層到基板介面。在每一次的交錯中，就相應產(chǎn)生一道穿透以及一道反射光場，最後這些光場會在同調(diào)的假設下相加。經(jīng)過一番如魔術般建設性以及破壞性干涉後，最後的結果可以用巨觀的反射以及穿透係數(shù)來表示。入射光的電場並非用單一個點來描述，相對的，我們會假設該電場比多重光束干涉發(fā)生的區(qū)域更大許多。

光耦合器屬光電器件中之一環(huán)，系一發(fā)光及受光元件的組合體，借由光的傳輸達到導通的要求，為一理想的絕緣體，因此在許多電子電器產(chǎn)品上，皆采用此器件作為【高壓隔離】用途。發(fā)光器件通常為發(fā)光二極體，受光器件通常在低階產(chǎn)品為光二級管/光三級管/光晶閘管，高階產(chǎn)品為光耦合積體電路。

光耦合器屬光電器件中之一環(huán)，系一發(fā)光及受光元件的組合體，借由光的傳輸達到導通的要求，為一理想的絕緣體，因此在許多電子電器產(chǎn)品上，皆采用此器件作為【高壓隔離】用途。發(fā)光器件通常為發(fā)光二極體，受光器件通常在低階產(chǎn)品為光二級管/光三級管/光晶閘管，高階產(chǎn)品為光耦合積體電路。

光耦合器屬光電器件中之一環(huán)，系一發(fā)光及受光元件的組合體，借由光的傳輸達到導通的要求，為一理想的絕緣體，因此在許多電子電器產(chǎn)品上，皆采用此器件作為【高壓隔離】用途。發(fā)光器件通常為發(fā)光二極體，受光器件通常在低階產(chǎn)品為光二級管/光三級管/光晶閘管，高階產(chǎn)品為光耦合積體電路。